NE856M03-T1-A

功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

RoHS:

制造商:NXP Semiconductors

配置:Single

晶体管极性:NPN

最大工作频率:7000 MHz

集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

集电极连续电流:0.15 A

功率耗散:1000 mW

直流集电极/Base Gain hfe Min:

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:SOT-223

封装:Reel

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